Samsung SSD 9100 PRO NVMe M.2 PCIe

Samsung SSD 9100 PRO – High-End-NVMe-SSD mit PCIe 5.0 x4, M.2 2280, bis zu 14.800 MB/s, bis zu 8 TB und Samsung V-NAND TLC

Die Samsung SSD 9100 PRO ist eine High-End-SSD für Client-PCs, Workstations, AI-PCs, Gaming-PCs und laut Samsung auch für PlayStation 5. Sie nutzt PCIe 5.0 x4 und NVMe 2.0, erreicht je nach Kapazität sequentielle Geschwindigkeiten von bis zu 14.800 MB/s beim Lesen und bis zu 13.400 MB/s beim Schreiben und ist in Kapazitäten von 1 TB, 2 TB, 4 TB und 8 TB erhältlich. Samsung hebt außerdem einen hauseigenen Controller, Samsung V-NAND TLC, hohe Energieeffizienz sowie Samsung Magician Software hervor. Die ersten Varianten mit 1 TB, 2 TB und 4 TB starteten am 18. März 2025, die 8-TB-Version folgte später im Jahr 2025.

🔧 Technische Daten

Merkmal	Spezifikation
Modellname	Samsung SSD 9100 PRO.
Serie	Samsung SSD 9100 PRO Series.
Geräteklasse	Interne High-End-NVMe-SSD / PCIe-5.0-SSD.
Erscheinungsjahr	2025. Die Serienvorstellung erfolgte am 25. Februar 2025, der Marktstart für 1/2/4 TB am 18. März 2025.
Einsatzbereich	Client PCs, Game Consoles / PlayStation 5, AI PCs, Hardcore Gaming PCs.
Formfaktor	M.2 (2280).
Schnittstelle	PCIe® 5.0 x4, NVMe™ 2.0.
Abwärtskompatibilität	Rückwärtskompatibel zu PCIe 4.0 x4 und PCIe 3.0 x4.
Kapazitäten	1 TB, 2 TB, 4 TB, 8 TB.
Controller	Samsung in-house Controller.
Controller-Architektur	5-nm-Controller-Power-Architektur.
NAND	Samsung V-NAND TLC.
DRAM-Cache	1 TB: 1 GB LPDDR4X; 2 TB: 2 GB LPDDR4X; 4 TB: 4 GB LPDDR4X; 8 TB: 8 GB LPDDR4X.
Sequentielle Lesegeschwindigkeit	1 TB: bis zu 14.700 MB/s; 2 TB: bis zu 14.700 MB/s; 4 TB: bis zu 14.800 MB/s; 8 TB: bis zu 14.800 MB/s.
Sequentielle Schreibgeschwindigkeit	1 TB: bis zu 13.300 MB/s; 2 TB: bis zu 13.400 MB/s; 4 TB: bis zu 13.400 MB/s; 8 TB: bis zu 13.400 MB/s.
Random Read	1 TB: bis zu 1.850.000 IOPS; 2 TB: bis zu 1.850.000 IOPS; 4 TB: bis zu 2.200.000 IOPS; 8 TB: bis zu 2.200.000 IOPS.
Random Write	Bis zu 2.600.000 IOPS.
Energieeffizienz	Laut Samsung bis zu 49 % effizienter als die 990 PRO.
Leistungsaufnahme aktiv	1 TB: Lesen 7,6 W / Schreiben 7,2 W; 2 TB: 8,1 W / 7,9 W; 4 TB: 9,0 W / 8,2 W; 8 TB: 10,5 W / 8,8 W.
Leistungsaufnahme Leerlauf	PS3 (APST on): 1 TB 4,0 mW; 2 TB 4,8 mW; 4 TB 6,5 mW. PS4 (L1.2): 1 TB 3,3 mW; 2 TB 4,0 mW; 4 TB 5,7 mW; 8 TB laut Samsung-US-Spezifikation 9,3/8,6 mW.
Intelligent TurboWrite 2.0	1 TB: 114 GB; 2 TB: 226 GB; 4 TB: 442 GB.
Verschlüsselung	AES 256-bit Encryption (Class 0), TCG/Opal, IEEE1667 / MS eDrive.
TRIM	Ja.
S.M.A.R.T.	Ja.
Garbage Collection	Auto Garbage Collection Algorithm.
Device Sleep Mode	Ja.
WWN-Unterstützung	Nein.
Betriebstemperatur	0 °C bis 70 °C.
Nicht-Betriebstemperatur	-40 °C bis 85 °C.
Stoßfestigkeit	1.500 G, 0,5 ms, 3 Achsen.
Vibrationsfestigkeit	20 bis 2.000 Hz, 20 G.
MTBF	1,5 Millionen Stunden.
TBW	1 TB: 600 TBW; 2 TB: 1.200 TBW; 4 TB: 2.400 TBW; 8 TB: 4.800 TBW.
Garantie	5 Jahre eingeschränkte Herstellergarantie bzw. bis zum Erreichen der TBW-Grenze, je nachdem, was zuerst eintritt.
Verwaltungssoftware	Samsung Magician Software.